近日,山西国科半导体光电有限公司宣布完成超亿元A+轮融资。本轮融资由中国科学院旗下国科创投领投,中信建投资本、湖南财鑫、长春长兴、长春朝盈等多家国资机构及产业资本共同参与。目前,国科半导体A+轮融资规模已超1.3亿元。

此前,国科半导体在A轮融资中先后获首业资本、腾飞资本、太行基金、山证投资等市场化VC及省级国资平台相继注资;如今A+轮再获以中国科学院旗下国科创投、头部券商旗下资本平台中信建投资本为首的央地多层级资本集中加注。在收获本轮融资的同时,国科半导体已同步启动A++轮融资。
“科学家生态圈”:从实验室到产线,技术转化不卡壳
国科半导体“科学家生态圈”以中科院半导体研究所为技术源头,以牛智川教授团队为核心,向上承袭黄昆院士、夏建白院士等半导体物理学奠基人开创的学术源流,向下贯通外延材料生长、器件工艺、封装测试到模组整机的全链条工程化能力,构建从实验室与产线的双向联动机制。量子新研方向依托合肥国家实验室、深圳量子研究院等国家级科研平台,以前沿基础研究驱动技术迭代。

三大材料平台筑基,跨越硅基边界
长期以来,硅材料支撑了全球半导体产业的高速发展。但在红外探测、激光发射、高速光通信、高灵敏传感等领域,传统硅基材料存在物理性能边界。要实现更高灵敏度、更宽光谱范围、更高功率密度和更复杂的光电转换能力,就需要依靠III-V族化合物半导体材料。
国科半导体目前已建成GaSb(锑化镓)、InP(磷化铟)、GaAs(砷化镓) 三大材料体系的全链条研发与生产能力,并延伸覆盖InAs(砷化铟)、InGaAs(铟镓砷)、InAsSb(铟砷锑)、InSb(锑化铟)等多种III-V族材料。其中,GaSb基材料覆盖中长波红外探测与中波激光发射,InP基材料支撑光通信、光互联和高速光电转换,GaAs基材料则在激光、探测、射频和多类光电器件中具有成熟应用基础。基于此,国科半导体进一步搭建了“前端定制+后端共享”的产业化架构。前端根据客户需求灵活定制器件结构与材料体系,后端底层工艺、制造能力、封装测试体系可实现全面复用,极大降低多品类开发边际成本。
目前国科半导体已沉淀29个工艺主配方,可延展至约680个SKU——进一步验证它不是靠单点产品打市场,而是用一套底层平台支撑多品类、多场景、多客户需求的持续拓展。2025年,国科半导体全年销售收入突破亿元大关;进入2026年,增长动能持续增强,仅上半年即新增订单超亿元,不仅验证了产品在核心市场的规模化交付能力,更为全年业绩高增长奠定了坚实基础。
在三大材料平台中,锑化物是技术壁垒最高、战略价值最突出的方向。2009年起,瓦森纳协议将锑化物相关材料、器件及设备列入对华出口管制清单,2024年中国商务部亦将锑化镓材料纳入出口管制清单,在这一长期被海外垄断的赛道,国科半导体亦是该领域国内唯一实现激光、探测双业务线同时完成全链条突破的企业。

多箭齐发,核心方向同时跑出加速度
依托平台化全链条IDM能力,探测器与激光器两大业务线共同建立在同一套化合物半导体底层平台之上——平台越成熟,产品延展越快;产品线越丰富,平台价值越被验证。当前核心应用在态势感知、量子信息及精密传感、光通信与AI光互联、精密加工四大方向同步推进产业化落地。
从下游应用视角来看,两大业务线共同服务于“态势感知”这一核心场景——探测器负责被动红外成像识别,测距激光负责主动空间定位测距,二者协同构成完整的“发现-定位-跟踪”能力闭环,可应用于航天遥感、精确制导、光电吊舱等高端场景。
量子端,国科半导体承担科技部“科技创新2030——量子通信与量子计算机”重大专项核心课题,成为国家量子信息战略布局中的重要技术力量。当下推出的1950nm半导体单频激光器模组,专为量子通信频率变换场景深度优化,在保持优异单频特性与超高光谱纯净度的同时,已实现500mW级以上单频连续输出,为高效低噪声的单光子频率转换提供了充足的泵浦储备,直接提升了QKD系统的信噪比与有效传输距离。国科半导体整体已形成覆盖780nm、850nm、1064nm、1950nm、2100nm等多波长的产品矩阵,可支撑量子通信泵浦、量子计算冷原子操控、量子精密测量等多元场景需求,凭借国家专项背书、全链条IDM产能与深厚技术积淀,正加速成为全球量子信息核心光源领域的关键供应商。
光通信端,在AI算力需求爆发式增长驱动下,CW(连续波)激光器成为支撑400G/800G乃至1.6T时代光模块规模化量产的关键器件,国际巨头竞相推出高功率产品,国内同行亦加速布局。国科半导体近期将推出70mW/100mW CW-DFB芯片,精准满足400G/800G硅光模块商用需求;即将推出针对1.6T硅光模块应用的O-Band CWDM4 CW DFB芯片(1271nm/1291nm/1311nm/1331nm)。远期瞄准1.6T/3.2T市场及CPO(共封装光学)前沿应用,其中公司近期即将推出的1310nm400mW产品直接面向下一代AI集群互联的高性能需求,初测性能指标可比肩国际头部厂商(日本住友),有望在下一代超高速光互联市场中占据关键份额。同步面向400G/800G光模块需求,国科已布局O-band CWDM4 100G EML芯片。
多层级资本“团购”的逻辑
本轮投资方阵容覆盖央地多层级资本:国科创投由中国科学院控股发起设立,专注科技成果转化与“硬科技”投资;中信建投资本在管基金已超千亿元规模;湖南财鑫、长春长兴、长春朝盈均为地方国资平台。
密集资本加注的背后,是化合物半导体国产替代与国际引领的确定性逻辑。当央地多层级资本同时将筹码押向同一家企业,这本身就是对“化合物半导体国产替代已从逻辑验证进入业绩验证阶段”这一产业拐点的集体投票。
中国科学院、中信建投及多地国资联手押注山西国科半导体
目前,国科半导体A+轮融资规模已超1.3亿元。
近日,山西国科半导体光电有限公司宣布完成超亿元A+轮融资。本轮融资由中国科学院旗下国科创投领投,中信建投资本、湖南财鑫、长春长兴、长春朝盈等多家国资机构及产业资本共同参与。目前,国科半导体A+轮融资规模已超1.3亿元。
此前,国科半导体在A轮融资中先后获首业资本、腾飞资本、太行基金、山证投资等市场化VC及省级国资平台相继注资;如今A+轮再获以中国科学院旗下国科创投、头部券商旗下资本平台中信建投资本为首的央地多层级资本集中加注。在收获本轮融资的同时,国科半导体已同步启动A++轮融资。
“科学家生态圈”:从实验室到产线,技术转化不卡壳
国科半导体“科学家生态圈”以中科院半导体研究所为技术源头,以牛智川教授团队为核心,向上承袭黄昆院士、夏建白院士等半导体物理学奠基人开创的学术源流,向下贯通外延材料生长、器件工艺、封装测试到模组整机的全链条工程化能力,构建从实验室与产线的双向联动机制。量子新研方向依托合肥国家实验室、深圳量子研究院等国家级科研平台,以前沿基础研究驱动技术迭代。
三大材料平台筑基,跨越硅基边界
长期以来,硅材料支撑了全球半导体产业的高速发展。但在红外探测、激光发射、高速光通信、高灵敏传感等领域,传统硅基材料存在物理性能边界。要实现更高灵敏度、更宽光谱范围、更高功率密度和更复杂的光电转换能力,就需要依靠III-V族化合物半导体材料。
国科半导体目前已建成GaSb(锑化镓)、InP(磷化铟)、GaAs(砷化镓) 三大材料体系的全链条研发与生产能力,并延伸覆盖InAs(砷化铟)、InGaAs(铟镓砷)、InAsSb(铟砷锑)、InSb(锑化铟)等多种III-V族材料。其中,GaSb基材料覆盖中长波红外探测与中波激光发射,InP基材料支撑光通信、光互联和高速光电转换,GaAs基材料则在激光、探测、射频和多类光电器件中具有成熟应用基础。基于此,国科半导体进一步搭建了“前端定制+后端共享”的产业化架构。前端根据客户需求灵活定制器件结构与材料体系,后端底层工艺、制造能力、封装测试体系可实现全面复用,极大降低多品类开发边际成本。
目前国科半导体已沉淀29个工艺主配方,可延展至约680个SKU——进一步验证它不是靠单点产品打市场,而是用一套底层平台支撑多品类、多场景、多客户需求的持续拓展。2025年,国科半导体全年销售收入突破亿元大关;进入2026年,增长动能持续增强,仅上半年即新增订单超亿元,不仅验证了产品在核心市场的规模化交付能力,更为全年业绩高增长奠定了坚实基础。
在三大材料平台中,锑化物是技术壁垒最高、战略价值最突出的方向。2009年起,瓦森纳协议将锑化物相关材料、器件及设备列入对华出口管制清单,2024年中国商务部亦将锑化镓材料纳入出口管制清单,在这一长期被海外垄断的赛道,国科半导体亦是该领域国内唯一实现激光、探测双业务线同时完成全链条突破的企业。
多箭齐发,核心方向同时跑出加速度
依托平台化全链条IDM能力,探测器与激光器两大业务线共同建立在同一套化合物半导体底层平台之上——平台越成熟,产品延展越快;产品线越丰富,平台价值越被验证。当前核心应用在态势感知、量子信息及精密传感、光通信与AI光互联、精密加工四大方向同步推进产业化落地。
从下游应用视角来看,两大业务线共同服务于“态势感知”这一核心场景——探测器负责被动红外成像识别,测距激光负责主动空间定位测距,二者协同构成完整的“发现-定位-跟踪”能力闭环,可应用于航天遥感、精确制导、光电吊舱等高端场景。
量子端,国科半导体承担科技部“科技创新2030——量子通信与量子计算机”重大专项核心课题,成为国家量子信息战略布局中的重要技术力量。当下推出的1950nm半导体单频激光器模组,专为量子通信频率变换场景深度优化,在保持优异单频特性与超高光谱纯净度的同时,已实现500mW级以上单频连续输出,为高效低噪声的单光子频率转换提供了充足的泵浦储备,直接提升了QKD系统的信噪比与有效传输距离。国科半导体整体已形成覆盖780nm、850nm、1064nm、1950nm、2100nm等多波长的产品矩阵,可支撑量子通信泵浦、量子计算冷原子操控、量子精密测量等多元场景需求,凭借国家专项背书、全链条IDM产能与深厚技术积淀,正加速成为全球量子信息核心光源领域的关键供应商。
光通信端,在AI算力需求爆发式增长驱动下,CW(连续波)激光器成为支撑400G/800G乃至1.6T时代光模块规模化量产的关键器件,国际巨头竞相推出高功率产品,国内同行亦加速布局。国科半导体近期将推出70mW/100mW CW-DFB芯片,精准满足400G/800G硅光模块商用需求;即将推出针对1.6T硅光模块应用的O-Band CWDM4 CW DFB芯片(1271nm/1291nm/1311nm/1331nm)。远期瞄准1.6T/3.2T市场及CPO(共封装光学)前沿应用,其中公司近期即将推出的1310nm400mW产品直接面向下一代AI集群互联的高性能需求,初测性能指标可比肩国际头部厂商(日本住友),有望在下一代超高速光互联市场中占据关键份额。同步面向400G/800G光模块需求,国科已布局O-band CWDM4 100G EML芯片。
多层级资本“团购”的逻辑
本轮投资方阵容覆盖央地多层级资本:国科创投由中国科学院控股发起设立,专注科技成果转化与“硬科技”投资;中信建投资本在管基金已超千亿元规模;湖南财鑫、长春长兴、长春朝盈均为地方国资平台。
密集资本加注的背后,是化合物半导体国产替代与国际引领的确定性逻辑。当央地多层级资本同时将筹码押向同一家企业,这本身就是对“化合物半导体国产替代已从逻辑验证进入业绩验证阶段”这一产业拐点的集体投票。
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